Semiconductor device for operating with a safety transistor has a bipolar safety transistor with an emitter area to show voltage kickback.

Halbleitereinrichtung mit einem bipolaren Schutztransistor

Abstract

Halbleitereinrichtung mit einem bipolaren Schutztransistor (T1), der einen Emitterbereich (15), einen Basisbereich (10) sowie einen Kollektorbereich (17, 3) umfaßt, wobei der Kollektorbereich einen ersten Abschnitt (17), der an den Basisbereich (10) angrenzt, sowie einen an den ersten Abschnitt (17) angrenzenden zweiten Abschnitt (3) aufweist, dessen Dotierung höher ist als die des ersten Abschnitts (17), wobei die Strom-Spannungs-Kennlinie eines reversiblen Kollektor-Emitter-Durchbruchs des Schutztransistors (T1) mit ansteigender Stromdichte einen ersten Spannungsrücksprung auf eine erste Haltespannung (UH1) und danach einen zweiten Spannungsrücksprung auf eine zweite Haltespannung (UH2) zeigt, und wobei durch Wahl der Dotierung des ersten Abschnitts (17) und/oder durch Wahl eines Leitfähigkeitswertes zwischen Basis und Emitter die erste Haltespannung (UH1) auf einen gewünschten Wert eingestellt ist.
A bipolar safety transistor (T1) has an emitter area (15), a base area (10) and a collector area with a first section (17) bordering on the base area and a second section (3) bordering on the first section. A current voltage characteristic curve for a reversible collector-emitter channeling in the safety transistor with increasing current density shows a first voltage kickback onto a first withstand voltage and then a second voltage kickback onto a second withstand voltage. An Independent claim is also included for a method for building a bipolar safety transistor for an integrated circuit.

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Patent Citations (6)

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