Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Parallelschaltung gekoppelter Kapazitäten

Abstract

Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung (1), die Kondensatoren (10, 20) aufweist, die jeweils eine erste Elektrode (11, 21), eine zweite Elektrode (12, 22) mit einer dotierten Schicht (13, 23) und ein Dielektrikum (14, 24) aufweisen. Der Poly-Depletion-Effekt der eingesetzten dotierten Schichten führt zu einer Verzerrung der Kapazitätskennlinie, weshalb herkömmlich jeder Kondensator (10, 20) eine Zusatzschaltung zur Korrektur der Kennliniencharakteristik benötigt. Erfindungsgemäß wird eine Parallelschaltung zweier Kondensatoren (10, 20) eingesetzt, um eine Kapazität zu erhalten, die einen von der Kapazität-Spannungs-Kennlinie eines einzelnen Kondensators abweichenden Kennlinienverlauf besitzt und die deshalb - anders als die eines einzelnen Kondensators (10; 20) - ohne Zusatzschaltungen zur Korrektur des Kennlinienverlaufs eingesetzt werden kann.

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