Process of manufacturing semiconductor device

반도체 장치의 제조 방법

Abstract

본 발명은 반도체 기판상에 형성된 복수개의 반도체 소자를 덮도록 층간절연막을 형성하는 단계; 층간절연막의 도중까지 반도체 소자의 소정 영역상에 개구부를 형성하는 단계; 소정의 개구부 하부에 잔존하는 층간절연막을 제거함으로써 콘택트홀을 형성하는 동시에 개구부 상부를 포함하는 배선층 매립용 개구부를 형성하는 이중 상감 단계; 적어도 콘택트홀 및 배선층 매립용 개구부를 매립하도록 도전층을 층간절연막상에 형성하는 단계; 및 층간절연막상의 도전층을 제거함으로써 콘택트 플러그와 매립된 배선층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle