반도체 소자의 캐패시터 제조방법

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device is provided to prevent breakage of a titanium nitride layer by using a stacked diffusion barrier layer composed of titanium/titanium oxide/titanium nitride. CONSTITUTION: An insulating layer(12) with a storage node contact hole is formed on a semiconductor substrate(10). A contact plug(14) is formed in the storage node contact hole. A stacked diffusion barrier layer including the first, second and third diffusion barrier layer(16,18,20) such as titanium/titanium oxide/titanium nitride is formed on the contact plug. A conductive layer(22) is formed on the stacked diffusion barrier layer. Then, a dielectric film(24) and a plate electrode(26) are sequentially formed on the dielectric film.
본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판의 콘택플러그 상부에 확산방지막으로 형성되는 티타늄막 표면을 산화시켜 티타늄산화막을 형성하고, 그 상부에 티타늄질화막을 형성하여 캐패시터를 형성함으로써 고온 열처리 공정시 콘택플러그의 다결정 실리콘과 확산방지막의 티타늄에서 고상반응에 의해 형성된 티타늄 실리사이드의 인장응력으로 티타늄질화막의 파괴현상을 억제하고, 입계를 통한 실리콘의 확산을 방지함으로써 반도체 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키는 기술에 관한 것이다.

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