반도체 장치의 제조 방법

Method of manufacturing semiconductor device

Abstract

공기 중에 부유하는 진애에 의해 단락이 생기지 않는 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치, 좁은 피치 커넥터, 정전 엑추에이터, 압전 엑추에이터 등의 마이크로 머신, 이들을 포함한 잉크 젯 헤드, 잉크 젯 프린터, 액정 패널, 전자기기. 실리콘 웨이퍼(30)를 다이싱하여 복수의 반도체 장치(20)를 제조하는 방법에 있어서, 다이싱 라인을 걸치도록 절연층에 덮인 홈(30a)을 상기 실리콘 웨이퍼에 형성하여, 상기 다이싱 라인을 따라 상기 실리콘 웨이퍼를 다이싱한다.
A manufacturing method of semiconductor devices, micromachines such as semiconductor device, narrow pitch connectors, electrostatic actuators or piezoelectric actuators, and ink jet heads, ink jet printers, liquid crystal panels, and electronic appliances, including them characterized in that short circuit due to dusts floating in the air will not take place. In a method where a silicon wafer (30) undergoes dicing to manufacture semiconductor devices (20), a groove (30a) covered by an insulating layer and spanning a dicing line is formed in the above described silicon wafer, and the silicon wafer undergoes dicing along the dicing line. <IMAGE>

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